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| 低容贴片压敏电阻主要应用在USB2.0,USB3.0，IEEE1394、DVI以及高速以太网等高速数据传输端口静电防护中。南京华巨电子有限公司是国内最大的静电防护贴片压敏电阻的专业制造商，公司依托在敏感技术的雄厚实力研发出超低电容量的防静电贴片压敏电阻-超低容ESD压敏电阻，超低容量的防静电压敏电阻主要应用于一些高速的信号传输接口的应用，在消除静电的同时可以保证信号不失真，主要应用在USB2.0,USB3.0，IEEE1394、DVI以及高速以太网等高速数据传输端口中。USB3.0 ESD贴片压敏电阻，USB2.0 ESD压敏电阻，DVI ESD压敏电阻 IE1394 ESD压敏电阻。 | |
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1:高分子超低容值静电抑制器产品规格
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型号 |
工作电压 | 触发电压 | 最大限制电压 | 电容量 | 漏电流 |
ESD 测试
IEC61000-4-2 |
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| Vac | Vdc | VV |
Vc(V) |
CN(pF) | IL | ||
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8/20μs |
@1MHZ | (nA) | |||||
| SMD0402ESD5R5T | 4.0 | 5.5 | 350 | 35 | ＜0.15 | ＜10 |
接触放电电压:8kv
空气放电电压: 15kv |
| SMD0402ESD6R0T | 5.0 | 6.0 | 350 | 35 | ＜0.15 | ＜10 | |
| SMD0402ESD120T | 10.0 | 12.0 | 300 | 35 | ＜0.15 | ＜10 | |
| SMD0402ESD140T | 12.0 | 14.0 | 500 | 50 | ＜0.15 | ＜10 | |
| SMD0402ESD240T | 18.0 | 24.0 | 500 | 50 | ＜0.15 | ＜10 | |
| SMD0603ESD5R5T | 4.0 | 5.5 | 350 | 35 | ＜0.15 | ＜10 | |
| SMD0603ESD6R0T | 5.0 | 6.0 | 350 | 35 | ＜0.15 | ＜10 | |
| SMD0603ESD120T | 10.0 | 12.0 | 150 | 35 | ＜0.15 | ＜10 | |
| SMD0603ESD240T | 18.0 | 24.0 | 125 | 35 | ＜0.15 | ＜10 | |
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SMD0603ESD240T1 |
18.0 | 24.0 | 500 | 50 | ＜0.15 | ＜10 | |
| SMD0603ESD300T | 25.0 | 30.0 | 300 | 35 | ＜0.15 | ＜10 | |
2.低容静电防护型产品：
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型号 |
工作电压 | 压敏电压 | 最大限制电压 |
电容量 |
ESD 测试
IEC61000-4-2 |
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| Vac | Vdc | 最小值 | 最大值 |
Vc(V) |
CN(pF) | △CP(pF) | ||
| V1mA(V) |
8/20μs |
@1MHZ | ||||||
| SMD0402E180N1R5T | 14.0 | 18.0 | 46 | 60 | 110 | 1.5 | ±2pF |
接触放电电压:8kv
空气放电电压: 15kv |
| SMD0402E180N3R0T | 14.0 | 18.0 | 22 | 34 | 58 | 3.0 | ±2pF | |
| SMD0402E180N5R0T | 14.0 | 18.0 | 22 | 34 | 58 | 5 | ±2pF | |
| SMD0402E180N100T | 14.0 | 18.0 | 22 | 34 | 58 | 10 | ±30% | |
| SMD0402E180N150T | 14.0 | 18.0 | 22 | 34 | 58 | 15 | ±30% | |
| SMD0402E260N5R0T | 20.0 | 26.0 | 46 | 60 | 110 | 5 | ±2pF | |
| SMD0402E420N3R0T | 30.0 | 42.0 | 46 | 75 | 135 | 3 | ±2pF | |
| SMD0603E5R0N5R0T | 4.0 | 5.0 | 22 | 34 | 58 | 5 | ±2pF | |
| SMD0603E9R0N3R0T | 6.0 | 9.0 | 36 | 60 | 110 | 3 | ±2pF | |
| SMD0603E120N5R0T | 9.0 | 12.0 | 30 | 40 | 70 | 5 | ±2pF | |
| SMD0603E180N3R0T | 14.0 | 18.0 | 36 | 60 | 110 | 3 | ±2pF | |
| SMD0603E180N7R0T | 14.0 | 18.0 | 36 | 60 | 110 | 7 | ±2pF | |
| SMD0603E180N120T | 14.0 | 18.0 | 22 | 34 | 58 | 12 | ±30% | |
| SMD0603E180N150T | 14.0 | 18.0 | 22 | 34 | 58 | 15 | ±30% | |
| SMD0603E180N220T | 14.0 | 18.0 | 22 | 34 | 58 | 22 | ±30% | |
3.1、可靠性
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试验项目 |
试验方法 |
技术要求 |
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常温受潮 |
90%RH，40℃，施加工作电压1000小时 |
△VV/VV≤±10% |
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温度冲击 |
-40～85℃,30min,5循环 |
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高温寿命 |
环境温度：85℃下施加工作电压，保持1000小时 |
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耐焊接热 |
260℃ 10s |
1. △VV/VV≤±10% |
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IEC 61000-4-2 4级静电放电测试（接触放电） |
放电测试电压：8kV；峰值放电电流30A；上升时间：0.7～1ns |
△VV/VV≤±10% |
3.2、包装
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尺寸 |
数量 |
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0402 |
10000pcs |
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0603 |
5000pcs |
3.3、应用领域
USB、HDMI、IEEE1394、DVI、高速以太网等高速数据传输端口。
2.1特性及应用
压敏电压的温度特性
4.1静电消除测试电路及波形图
4.2各个系统传输时所建议的电容值
| 应用介面 |
传输速率 |
上升时间 |
建议使用容值 |
| HDMI 1.3 Data Port | 10.2G bps | 0.02～0.03ns | ＜0.15pF |
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USB 3.0 Data Port |
4.80G bps |
0.05～0.06ns |
＜0.3pF |
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USB 2.0 Data Port |
480M bps |
0.5～0.6ns |
＜4pF |
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USB 1.0 Data Port |
12M bps |
4～20ns |
5～10 pF |
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Wireless Device |
1.5M bps |
75～300ns |
5～10 pF |
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RS232, IrDA1.0 |
115.2 K |
1us～8us |
10～100 pF |
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Audio (Microphone/Sperker) |
20～20K Hz |
0.05ms～5ms |
10～1000 pF |
在今年计算机硬件的热门话题中，USB3.0绝对是最受瞩目的。USB3.0的数据传输速率比现有的USB2.0快上十倍，刚好迎合日益大增的高画质、大容量储存需求。无论是外接式硬盘、随身碟、相机记忆卡均可大幅缩减储存的时间。除了在计算机上的应用之外，手机与相机的传输也几乎都是使用USB规格，甚至许多产品更直接把充电端与USB结合，难怪各界皆如此期待USB3.0的广泛使用，好让使用者享受4.8Gbps的传输快感。USB3.0接口分成主机（Host）端与装置（Device）端，必须先有Host端的支持，周边的Device端才能搭配；而芯片大厂英特尔及超微自2010年起亦已开始研发将支持USB3.0为南桥规格，加上微软Windows 7也确定研发支持USB3.0的drivers，预估USB 3.0取代USB2.0已是既定趋势。 为实现十倍于USB2.0的传输速度，USB 3.0控制芯片必须使用更先进的制程来设计与制造，但这也造成USB 3.0的控制芯片对ESD的耐受能力快速下降。除此之外，USB 3.0会被大量用来传输影音数据，对数据传输容错率会有越严格的要求，使得使用额外的保护组件来防止ESD事件对数据传输的干扰变得很必要。除了传输速度的要求之外，另一个使用者最普遍的USB应用就是随插即用、随拔即关。然而这个热插拔动作却也经常是造成电子系统工作异常、甚至造成USB连接端口组件毁坏的元凶，因为如静电放电(ESD)等瞬时噪声就是来自这个热插拔动作。要用在USB3.0连接端口的ESD防护组件必须同时符合下面三项要求：
第一、ESD防护组件本身的寄生电容必须要小，为不影响USB3.0 4.8Gbps的传输速率，其寄生电容必须小于0.3pF。
第二、防护组件对ESD的耐受能力必须要高，最少要能承受IEC 61000-4-2接触模式8kV ESD的轰击。
第三、也是最重要的一项要求，防护组件在ESD事件发生期间所提供的箝制电压必须要够低，不能造成传输数据的损坏。
以上三项要求缺一不可，缺少了任何一个要项，USB3.0连接埠就无法被完善地保护。然而要同时符合以上三项要求的ESD防护组件，其本身的设计难度就相当高。
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